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Claves de la noticia
- Nexstrom ha captado 12 millones de dólares para desarrollar su equipo North Star y suma 15 millones de financiación total.
- La startup quiere crecer materiales semiconductores de pocas capas atómicas directamente sobre obleas de 300 mm compatibles con las fábricas actuales.
- El sistema ya está instalado, pero la empresa sitúa la producción comercial entre 2030 y 2035 y aún debe demostrar uniformidad, rendimiento y coste.
Nexstrom quiere que los semiconductores bidimensionales abandonen las muestras de laboratorio y entren en la cadena industrial del chip. La empresa de Singapur ha cerrado una ronda semilla de 12 millones de dólares para perfeccionar North Star, un equipo destinado a crecer materiales ultrafinos sobre obleas estándar de 300 milímetros. El propósito es ambicioso: sustituir el canal de silicio de futuros transistores por cristales de apenas unas capas atómicas sin obligar a las fábricas a cambiar de formato.
Una máquina de 300 mm no equivale a una producción validada
TechCrunch publicó la ronda a las 13:20 UTC del 22 de septiembre tras entrevistar a la dirección. Xora Innovation, Foothill Ventures y SEEDS participaron en la operación. Sumados tres millones de financiación no dilutiva, Nexstrom declara 15 millones captados. El dinero se dedicará a control de proceso, metrología, contratación y programas de cualificación con posibles clientes.
North Star emplea deposición química de vapor y controla por separado el suministro y la reacción de los precursores. Nexstrom afirma que su manejo automatizado admite obleas de 12 pulgadas como las de una fábrica moderna. La empresa también dice haber instalado el sistema de 300 mm y entregado muestras a socios, aunque no identifica a las compañías que las prueban.
Conviene separar cuatro hitos que suelen comprimirse en una sola promesa: instalar la herramienta, crecer material sobre toda la oblea, fabricar transistores funcionales y sostener un proceso con rendimiento industrial. La cronología corporativa habla de síntesis de calidad comercial en 300 mm durante 2026; en la entrevista, la consejera delegada Phoebe Tan señaló que los resultados probados llegaban a seis pulgadas y que la culminación de ocho y doce pulgadas estaba prevista para finales de octubre. Las dos formulaciones pueden describir etapas distintas, pero no publican todavía mapas de uniformidad, rendimiento por oblea ni coste.
Doce pulgadas multiplican el problema por 36
El salto parece lineal si solo se mira el diámetro. No lo es. El área de un círculo crece con el cuadrado del radio: pasar de una muestra de dos pulgadas a una oblea de doce multiplica el diámetro por seis y la superficie teórica por 36. Cada variación en temperatura, flujo de gas, nucleación o contaminación debe controlarse, por tanto, sobre un área treinta y seis veces mayor.
| Tamaño | Superficie relativa frente a 2 pulgadas | Estado comunicado |
|---|---|---|
| 2 pulgadas | 1× | Punto de partida de laboratorio citado en la entrevista |
| 100 mm, unas 4 pulgadas | 4× | Plataforma reproducible declarada en 2025 |
| 6 pulgadas | 9× | Resultados materiales probados según la dirección |
| 300 mm, unas 12 pulgadas | 36× | Sistema instalado; culminación anunciada para octubre |
Ese cálculo explica por qué el formato de la oblea es la noticia y, a la vez, por qué no basta. Los dicalcogenuros de metales de transición, o TMD, incluyen compuestos como MoS₂, WS₂ y WSe₂. Su grosor atómico ayuda a que la puerta del transistor controle la corriente cuando el silicio empieza a sufrir fugas a escalas extremas. El reto es formar una película continua: dominios cristalinos mal orientados crean fronteras, defectos y variaciones eléctricas.
Una revisión de Nature Communications publicada en abril fija además un límite de proceso decisivo. Para añadir transistores sobre circuitos ya fabricados, el crecimiento debe mantenerse normalmente por debajo de 400 °C; temperaturas superiores pueden dañar las capas inferiores. También quedan por resolver contactos de baja resistencia, dieléctricos ultrafinos, adhesión y alineación entre niveles. La lámina atómica es solo el canal; un chip útil necesita todo el sistema que la rodea.
TSMC, ASML e imec ya demostraron el siguiente peldaño
El antecedente industrial más próximo no procede de Nexstrom. En junio, imec anunció junto con TSMC y ASML la integración de transistores nFET de MoS₂ y pFET de WSe₂ en la misma oblea de 300 mm. Usaron litografía ultravioleta extrema para obtener canales de hasta 28 nm y un paso de contacto de 50 nm. Fue una demostración de integración, no una línea de producción comercial.
La comparación delimita la oportunidad de North Star. Los grandes fabricantes ya prueban dispositivos 2D con herramientas de fábrica; Nexstrom intenta vender la etapa que produce el material de forma repetible. No compite por diseñar el chip final, sino por convertirse en proveedor de proceso para fundiciones como TSMC, Samsung o Intel. Es una posición parecida a la de otros cuellos de botella del ecosistema: el empaquetado CoWoS-L para aceleradores de IA gana valor porque resuelve una fase que limita al conjunto.
Nexstrom atribuye a su plataforma hasta 100 veces menos densidad de defectos, un 75% menos de energía de conmutación y longitudes de puerta más de dos veces menores. Son cifras del proveedor y la documentación pública no identifica todavía una prueba independiente, una referencia exacta ni el rendimiento de fabricación usado. Por eso sirven como objetivos técnicos, no como base para afirmar que el silicio vaya a ser reemplazado.
Los 12 millones financian una cualificación de varios años
El calendario oficial coloca la producción comercial entre 2030 y 2035. Esa distancia revela para qué sirve realmente la ronda: ampliar la ventana de proceso, medir variaciones, enviar obleas a clientes y repetir resultados hasta que una fundición pueda confiar en ellos. Siete familias de patentes y muestras tempranas ayudan, pero no sustituyen ciclos de fiabilidad, compatibilidad química y coste total por oblea.
La demanda potencial es clara. Los chips de IA necesitan más densidad con menos energía, mientras anuncios como el plan de Alibaba para chips y centros de datos de 20 GW muestran que el consumo físico ya condiciona la escala del cómputo. Un transistor que conmute con menos energía sería valioso, pero solo si la ganancia sobrevive al contacto, el cableado y la fabricación masiva.
La conclusión defendible es más concreta que la promesa de una era posterior al silicio. Escalar de dos a doce pulgadas multiplica por 36 la superficie que debe conservar propiedades uniformes. El avance decisivo no consiste en crear una lámina atómicamente fina, algo que los laboratorios ya hacen, sino en repetirla sobre 300 mm sin superar el presupuesto térmico ni degradar contactos y dieléctricos. Nexstrom ha financiado ese puente; todavía no ha demostrado que pueda cruzarlo a escala comercial.
